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磷化铟(InP)是磷和铟的化合物,属于第二代Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,具备高电光转换率、高饱和电子漂移速度、高热导率及强抗辐射能力等优点。这些特性使得磷化铟在制造光模块器件、传感器件、高端射频器件等领域有广泛应用,支持了5G通信、数据中心、人工智能、无人驾驶等下游终端领域的发展。磷化铟产业链包括上游原材料供
近日,铜川市商务局公布的 2024 年度外贸进出口优秀企业表彰名单中,我司成功上榜,荣获 “外贸进出口优秀企业” 称号!这一荣誉,是对公司发展的有力肯定,更是对全体铟杰人拼搏精神的认可。在过去的 2024 年,全球经济形势复杂多变,半导体行业也面临着诸多挑战。然而,铟杰半导体积极应对,通过不断优化产品结构、提升产
在当今科技飞速发展的时代,6G 通信的号角已然吹响,太赫兹(THz)频段成为了众人瞩目的焦点。而一项基于 250nm InP HBT 技术的宽带功率放大器研究成果,宛如一颗璀璨的新星,正照亮着通往 6G 通信新纪元的道路。今天,咱们就来深入了解一下这神奇的 250nm InP HBT 技术。磷化铟(InP)—— 天生的高频 “强者”磷化铟(InP