化合物半导体
新材料
智能装备
在当今科技飞速发展的时代,6G 通信的号角已然吹响,太赫兹(THz)频段成为了众人瞩目的焦点。而一项基于 250nm InP HBT 技术的宽带功率放大器研究成果,宛如一颗璀璨的新星,正照亮着通往 6G 通信新纪元的道路。今天,咱们就来深入了解一下这神奇的 250nm InP HBT 技术。磷化铟(InP)—— 天生的高频 “强者”磷化铟(InP
节放假通知亲爱的各界同仁新年的钟声即将敲响,新年的焰火即将点燃,新年的祝福迎着曙光,愿快乐对你过目不忘,愿你的幸福地久天长!2025春节快乐!在新的一年里,感恩各界同仁一路携手。往昔拼搏皆为积淀,未来之路共赴新程。愿大家蛇年好运常伴,身体矫若游龙,事业灵蛇之珠,日子温馨美满。铟杰半导体
聚势待发·迎战2025陕西铟杰2025年年会圆满举行1月17日,灯光璀璨,花团锦簇。陕西铟杰半导体有限公司全体员工欢聚一堂,共同举办了一场盛大而温馨的年会。 这不仅是一场年末的欢庆聚会,更是陕西铟杰在激流勇进途中的一次重要里程碑,是回顾过往拼搏岁月、展望全新发