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名称:磷化铟多晶颗粒料

简介:磷化铟是重要的Ⅲ-V族化合物半导体材料,由高纯红磷和高纯铟合成,是新一代光电子功能基础材料。InP具有禁带宽度大、电子迁移率和饱和速率高、击穿电压高、工作温度高、抗辐射性能好等特性,同时也是制作高频器件的理想材料。产品详情可查看附件,可下载。
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磷化铟(InP)是由铟和磷构成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,属于第二代半导体材料,常温下呈银灰色固体,其具有闪锌矿结构,晶格常数5.869Å。它在常温下的禁带宽度为1.35eV,是直接跃迁型能带结构,发射波长0.92μm,熔点温度1335K。

InP与传统Si半导体材料相比,其禁带宽度更大、电子迁移率和饱和速率更高,击穿电压更高,此外还具有工作温度高、抗辐射性能好等优点,适用于制作高频、高功率器件。

磷化铟多晶材料是磷化铟产业链的上游原料。


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