磷化铟(InP)是由铟和磷构成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,属于第二代半导体材料,常温下呈银灰色固体,其具有闪锌矿结构,晶格常数5.869Å。它在常温下的禁带宽度为1.35eV,是直接跃迁型能带结构,发射波长0.92μm,熔点温度1335K。
InP与传统Si半导体材料相比,其禁带宽度更大、电子迁移率和饱和速率更高,击穿电压更高,此外还具有工作温度高、抗辐射性能好等优点,适用于制作高频、高功率器件。
磷化铟多晶材料是磷化铟产业链的上游原料。
磷化铟(InP)是由铟和磷构成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,属于第二代半导体材料,常温下呈银灰色固体,其具有闪锌矿结构,晶格常数5.869Å。它在常温下的禁带宽度为1.35eV,是直接跃迁型能带结构,发射波长0.92μm,熔点温度1335K。
InP与传统Si半导体材料相比,其禁带宽度更大、电子迁移率和饱和速率更高,击穿电压更高,此外还具有工作温度高、抗辐射性能好等优点,适用于制作高频、高功率器件。
磷化铟多晶材料是磷化铟产业链的上游原料。
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